Transphorm為何會被瑞薩電子選中?

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 12 日 17:04 | 分類 企業

1月11日,瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協議,根據該協議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股,此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約24.27億人民幣)。

source:瑞薩電子

瑞薩電子表示,此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術,瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案,例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案,以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。

資料顯示,Transphorm是美國一家GaN功率器件生產商,致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的GaN半導體功率器件。在車用領域,Transphorm的GaN產品在業內最早通過車規級認證,擁有豐富的產品系列。

Transphorm此前在2023年第3季財報會議上便表示有整并或出售計劃,公司在2022年全球GaN功率器件廠商營收排名第6。瑞薩電子則在這兩年開始大規模投資寬禁帶半導體,SiC方面已經和Wolfspeed簽訂了長期的材料供應協議,并計劃在2025年開始量產SiC功率半導體,GaN方面此前曾與GaN Systems聯手開發電動車DC-DC轉換器。

近年來,GaN技術在混合型和全電動汽車、消費電子產品、智能手機以及其他產品的制造中得到廣泛應用,發展潛力較大。為迎合不斷增長的市場需求,Transphorm近期頻頻推出各種GaN產品。

2023年11月,Transphorm宣布推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準,這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動態(開關)導通電阻可靠性。

同在11月,Transphorm和Allegro MicroSystems宣布合作,聯合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅動器,借此擴展GaN電源系統設計在高功率應用范圍。

11月底,Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。該新產品TP65H070G4RS晶體管的導通電阻為72毫歐,為業界首個采用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。

目前,瑞薩電子已成為世界十大半導體芯片供應商之一,被瑞薩電子收購后,借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源,Transphorm有望推出更多契合市場和用戶需求的GaN產品,進而更好地拓展業務。

同時,Transphorm的GaN晶圓來源于同在日本會津的AFSW工廠,該晶圓廠是Transphorm與富士通半導體在2013年合資建設的子公司,是全球首屈一指的高質量、可靠的高壓 GaN 功率半導體晶圓制造工廠。2021年,Transphorm聯合JCP Capital完成了對AFSW晶圓廠的100%股權收購。因此,這也是助力此次收購案的另一大重要原因。

值得一提的是,2023年3月,英飛凌宣布擬以現金8.3億美金(約合人民幣57.27億元)收購GaN Systems。GaN Systems是全球GaN主力軍之一,尤其是在車用GaN領域,該公司屬于先行者。該事件交易金額約為瑞薩電子收購Transphorm的2.4倍,也曾在業內引發廣泛關注。(集邦化合物半導體Zac、Matt整理)

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