宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分類 企業

天眼查資料顯示,1月12日,宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利,申請公布號為CN117393605A,申請日期為2023年11月7日。

圖片來源:拍信網正版圖庫

該專利摘要顯示,本發明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率MOSFET器件包括:SiC襯底;N-外延層,所述N-外延層位于所述SiC襯底之上;有源區,所述有源區為多個,多個所述有源區相間隔地排布于所述N-外延層之上;JFET區,所述JFET區位于所述N-外延層之上,且位于兩個相鄰的的所述有源區之間,所述JFET區內設有淺溝槽結構,所述淺溝槽結構設有固定深度,所述淺溝槽結構與所述有源區之間設有固定距離;多晶硅柵層,所述多晶硅柵層位于所述有源區和所述JFET區之上;隔離層,所述隔離層位于所述多晶硅柵層之上;金屬層所述金屬層位于所述隔離層之上。本發明能夠在MOSFET器件的集電極加高壓的反向截止時,抑制短溝效應,防止MOSFET器件被擊穿。

資料顯示,宏微科技成立于2006年8月,從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發、生產和銷售,并為客戶提供功率半導體器件的解決方案,主要產品有IGBT、FRED、MOSFET、整流橋、晶閘管、SiC模塊等。

近年來,宏微科技在SiC領域進展較快。2023年3月,宏微科技在接受機構調研時表示,2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試;SiC MOS也在流片中。

2023年11月,宏微科技在接受機構調研時稱,SiC MOS已實現樣品產出,預計于2024年第一季度將成品交付客戶使用。在被問及液冷充電樁項目時,宏微科技表示,公司用于液冷充電樁的SiC器件產品正在開發階段,預計2024年上半年將進入送樣驗證階段。

隨后在12月,宏微科技再次對SiC業務進展情況進行了介紹。宏微科技稱,公司自主研發的SiC二極管及MOS芯片已經逐步定型和小批量。

據宏微科技介紹,公司主要的SiC產品分兩類,一類是目前出貨量較大,主要用在光伏領域的混封產品;第二類是出貨量相對較小的純SiC封裝產品,2024年預計會有較大幅度的增長。(集邦化合物半導體整理)

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