飛仕得SiC測試設備成功認定浙江省首臺(套)裝備

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 16 日 17:50 | 分類 企業

1月15日,杭州飛仕得科技股份有限公司(下文簡稱“飛仕得”)官微發文稱,公司的SiC器件智能動態測試裝備成功入選并被認定為浙江省首臺(套)裝備。

據介紹,SiC器件智能動態測試設備是飛仕得總結10多年SiC MOSFET/IGBT應用經驗開發的功率半導體動態參數測試系統,并經歷了ME100D,ME200D,ME300D三代產品迭代,該測試電壓最高可達6000V,電流10000A,寄生電感<10nH。

目前,該系列設備已在國家電網、上汽、一汽、比亞迪、吉利、蔚來、匯川技術、寧德時代、長城、英飛凌、三菱電機、中車半導體、士蘭微電子、上海航天、特變電工、浙江大學、復旦大學等企業、高校、科研單位得到應用,并獲得客戶好評。

據飛仕得官網資料顯示,公司圍繞IGBT、SiC MOSFET等功率半導體的應用,專業從事功率系統核心部件及功率半導體檢測設備研發和銷售。

除了上述裝備,其有關SiC MOSFET的檢測設備還有新型功率器件產線動靜態ATE測試設備和實驗室動態特性測試設備。

來源:飛仕得、集邦化合物半導體整理

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。