捷捷微電8英寸功率器件芯片項目簽約

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 17 日 17:38 | 分類 企業

5月16日,捷捷微電8英寸功率半導體器件芯片項目和通富微電先進封裝項目簽約落戶蘇錫通科技產業園區。據悉,通富微電與捷捷微電已在園區完成累計總投資近150億元。

圖片來源:拍信網正版圖庫

項目方面,捷捷微電另外一個功率器件項目近期也傳出新進展。上個月據愛啟東消息,捷捷微電功率半導體“車規級”封測產業化建設項目廠房已封頂,正在進行玻璃幕墻施工。

據悉,捷捷微電功率半導體“車規級”封測項目于2023年初開工,建設期在2年左右。該項目總投資為133395.95萬元,總建筑面積16.2萬平方米,擬投入募集資金119500萬元,主要從事車規級大功率器件的研發、生產及銷售,建設完成后可達年產1900kk車規級大功率器件DFN系列產品、120kk車規級大功率器件TOLL系列產品、90kk車規級大功率器件LFPACK系列產品以及60kkWCSP電源器件產品的生產能力。

捷捷微電是集功率半導體器件、功率集成電路、新型元件的芯片研發和制造、器件研發和封測、芯片及器件銷售和服務為一體的功率(電力)半導體器件制造商和品牌運營商,其在研產品涵蓋SiC、GaN功率器件。

捷捷微電近日在投資者調研活動中透露,其與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以SiC、GaN為代表第三代半導體材料的半導體器件,截至2024年第一季度末,其擁有SiC和GaN相關實用新型專利6件,發明專利1件;此外,捷捷微電還有10個發明專利尚在申請受理中。其目前有少量SiC器件的封測,該系列產品仍在持續研究推進過程中,尚未進入量產階段。(集邦化合物半導體Zac整理)

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