最新文章

飛仕得SiC測試設備成功認定浙江省首臺(套)裝備

作者 |發布日期 2024 年 01 月 16 日 17:50 | 分類 企業
這家企業的SiC測試設備成功認定浙江省首臺(套)裝備 1月15日,杭州飛仕得科技股份有限公司(下文簡稱“飛仕得”)官微發文稱,公司的SiC器件智能動態測試裝備成功入選并被認定為浙江省首臺(套)裝備。 據介紹,SiC器件智能動態測試設備是飛仕得總結10多年SiC MOSFET/IG...  [詳內文]

“移族”獲數千萬元融資,氮化鎵加速進入儲能領域

作者 |發布日期 2024 年 01 月 16 日 16:28 | 分類 氮化鎵GaN
作為第三代半導體材料的“雙雄”之一,氮化鎵能突破硅的理論極限,滿足市場對功率半導體更低功耗、更高功率密度、更環保的需求,是當下熱門的技術,在資本市場備受青睞。 而隨著技術的成熟,氮化鎵的應用領域早已突破了消費電子,向數據中心、儲能、新能源汽車等領域拓展。其中,儲能領域市場廣闊,資...  [詳內文]

宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利

作者 |發布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分類 企業
天眼查資料顯示,1月12日,宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利,申請公布號為CN117393605A,申請日期為2023年11月7日。 圖片來源:拍信網正版圖庫 該專利摘要顯示,本發明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率...  [詳內文]

投資近20億,日本晶圓設備制造商Disco將建新工廠

作者 |發布日期 2024 年 01 月 15 日 18:00 | 分類 企業
1月15日消息,日本晶圓設備制造商Disco將在日本廣島縣建設一家工廠,生產用于加工晶圓的一種組件。Disco預計投資超過400億日元(約合19.78億人民幣),計劃最早于2025年開始建設。新工廠將生產用于切割、研磨和拋光過程的切割輪,到2035年,該公司的產能將提高14倍。 ...  [詳內文]

芯片材料廠Resonac欲收購光刻膠巨頭股份

作者 |發布日期 2024 年 01 月 15 日 17:45 | 分類 產業
日本芯片材料廠商Resonac的首席執行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業的另一輪整合做準備,并表示公司可能會出手收購JSR的關鍵股份。 Hidehito Takahashi表示,JIC(日本投資公司)斥60億美元收購全球最大光刻膠制造商JSR,這...  [詳內文]

日本DISCO推出新型SiC切割設備,速度提高10倍

作者 |發布日期 2024 年 01 月 12 日 17:06 | 分類 企業
日本晶圓設備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅(SiC)切割設備DDS2020,支持切割8英寸SiC材料,可將SiC晶圓的切割速度提高10倍,首批產品已交付客戶。 source:DISCO 據介紹,SiC材質偏硬加工難度較大,DDS2020晶圓切割設備采用了新的斷...  [詳內文]

Transphorm為何會被瑞薩電子選中?

作者 |發布日期 2024 年 01 月 12 日 17:04 | 分類 企業
1月11日,瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協議,根據該協議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股,此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約24.27億人民幣)。 source:瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內文]

環球晶圓已與客戶簽合作長約,持續強化SiC布局

作者 |發布日期 2024 年 01 月 12 日 16:20 | 分類 企業
環球晶圓今年持續強化在化合物半導體的布局,預估今年碳化硅(SiC)產能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產能的提升,再加上電動車的需求相比之前稍有緩解,今年SiC襯底價格會面臨下滑的壓力。展望未來,環球晶圓本身制造上的良率提高,成本也隨之下降,對毛利率的影響不大,加上環球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內文]

英飛凌再添一家SiC材料供應商

作者 |發布日期 2024 年 01 月 11 日 15:07 | 分類 企業
全球半導體巨頭英飛凌,近日再次擴大其碳化硅(SiC)供應商朋友圈。 1月9日,英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協議。根據協議,SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓,用于SiC半導體的生產。...  [詳內文]