最新文章

投資5000億日元，日本電裝擴大半導體業務
作者 |發布日期 2023 年 11 月 01 日 9:27 | 分類 企業
汽車零部件供應商日本電裝（DENSO）近日在2023年日本移動展上舉辦了新聞發布會，日本電裝總裁Shinnosuke Hayashi表示，想要為更多元化的客戶創造價值，公司提出了三項舉措，涉及“移動出行”、“燃料電池”、“半導體與軟件”等三個領域。 為推進這三項舉措，DENSO將...  [詳內文]

碳化硅設備廠商特思迪完成B輪融資，發力8英寸
作者 |發布日期 2023 年 10 月 31 日 17:39 | 分類 碳化硅SiC
昨日（10/30）日，半導體設備初創企業北京特思迪半導體設備有限公司（以下簡稱“特思迪”）宣布完成B輪融資，投資方包括：臨芯投資、北京市高精尖基金、尚頎資本、中金啟辰、優山資本、芯微投資、長石資本、渾璞資本、博眾信合、安芯投資及洪泰基金。 值得一提的是，2022年初，華為哈勃投資...  [詳內文]

新微半導體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺
作者 |發布日期 2023 年 10 月 30 日 17:40 | 分類 功率
上海新微半導體有限公司（下文簡稱“新微半導體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(簡稱“PTA25工藝平臺”)開發完成。 該平臺憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低...  [詳內文]

SiC廠商中瑞宏芯獲光伏逆變器、汽車電子頭部企業投資
作者 |發布日期 2023 年 10 月 30 日 17:37 | 分類 碳化硅SiC
近日，蘇州中瑞宏芯半導體宣布完成近億元人民幣的產投融資，由光伏微逆領頭公司禾邁股份和汽車電子頭部供應商納芯微聯合投資。 中瑞宏芯成立于2020年，創辦人包括瑞典歸國技術專家和國內功率半導體行業頂尖產品開發團隊，致力于開發新一代節能高效SiC功率芯片和模塊，在SiC功率半導體領域已...  [詳內文]

基本半導體推出新SiC MOSFET產品
作者 |發布日期 2023 年 10 月 30 日 17:36 | 分類 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創新日活動上，基本半導體正式發布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅動器及驅動芯片等系列新品。 據介紹，基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品...  [詳內文]

三安、華潤微、天岳先進公布Q3業績
作者 |發布日期 2023 年 10 月 30 日 17:35 | 分類 企業
三安光電：LED芯片售價下跌，Q3凈利潤下滑95.19% 第三季度，三安光電實現營收36.86億元，同比增長13.43%；歸母凈利潤264.36萬元，同比下降95.19%；前三季度，公司實現營收101.56億元，同比增長1.43%；歸母凈利潤為1.73億元，同比下降82.51%。...  [詳內文]

國產激光芯片龍頭度亙核芯獲得新一輪投資
作者 |發布日期 2023 年 10 月 27 日 17:34 | 分類 企業
高端激光芯片龍頭企業度亙核芯光電技術（蘇州）有限公司（下文簡稱“度亙核芯”）近日獲得成就資本的投資。此前，度亙核芯已完成多輪融資，投資方包括國家工業母機產業投資基金、中金資本旗下多支基金、航天科工旗下航天京開基金、深圳高新投、海通證券等多家知名機構。 據悉，度亙核芯成立于2017...  [詳內文]

東尼電子8英寸SiC襯底獲小批量訂單
作者 |發布日期 2023 年 10 月 27 日 17:33 | 分類 功率
東尼電子于昨日（10/26）在互動平臺表示，公司8英寸SiC襯底處于研發驗證階段，已有小批量訂單，將持續推進驗證量產進程。 今年1月，東尼半導體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協議，今年東尼半導體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片...  [詳內文]

意法半導體、中微公司公布Q3財報
作者 |發布日期 2023 年 10 月 27 日 17:31 | 分類 企業
意法半導體：營收44.3億美元，超出預想 意法半導體第三季度凈營收44.3億美元（折合人民幣約324億元），毛利率47.6%，營業利潤率28.0%，凈利潤為10.9億美元（折合人民幣約80億元）。 意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示，第三季度凈營收高于公...  [詳內文]

8英寸時代：國產SiC襯底如何升級？
作者 |發布日期 2023 年 10 月 27 日 17:30 | 分類 功率
當下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲能等下游領域迸射出的強烈需求，正驅動著碳化硅（SiC）產業在高速發展，與此同時多方紛紛加強研發力度，旨在突破技術壁壘，搶占市場先機。 其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節點，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。 下一個拐點尺寸：8英寸SiC...  [詳內文]