50億,武漢新城化合物半導體項目正式開工

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 09 日 18:00 | 分類 產業

5月6日上午,位于武漢市東湖高新區九龍湖街以南、五峰路以西的武漢新城化合物半導體孵化加速及制造基地項目正式開工。該項目是湖北省重點項目、武漢新城重點建設科技項目,同時也是九峰山實驗室的重大配套工程。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據悉,2023年12月20日,光谷宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地,項目總用地面積約7.5萬平方米,總建筑面積約17萬平方米,包括4棟化合物半導體潔凈廠房、4棟孵化加速辦公廠房以及相關配套建筑群。

資料顯示,九峰山實驗室位于武漢江夏區,是湖北十大實驗室之一,已建成化合物半導體產業較先進、規模較大的科研及中試平臺。近年來,九峰山實驗室聚焦下一代功率器件技術的研究,形成了自主可控的成套工藝技術。

在SiC領域,九峰山實驗室6英寸SiC中試線于2023年8月1日全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線,標志著該實驗室已具備SiC外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。

在首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線后,九峰山實驗室持續攻克SiC工藝技術難關。2023年12月,該實驗室在SiC超結領域取得新進展:完成具有完全自主知識產權的SiC多級溝槽超結器件新結構設計,優化后的超結肖特基二極管可以實現2000V以上的耐壓,比導通電阻低至0.997mΩ·c㎡,打破了SiC單極型器件的一維極限,同時該超結器件的多級溝槽刻蝕核心工藝研發也已完成。(集邦化合物半導體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。